flash结构,flash结构SLC

esp32flash是内存吗

esp32flash是内存吗？应该是内存，这个表示版本内存运行的属性，比如cad32位和cad64位两种内存运行版本等。

NAND flash和NOR flash的区别详解

一、区别

1、接口差别

nor flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

nand flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

2、容量和成本不同

nand flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

nor flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

3、寿命(耐用性)不同

在nand flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor flash的擦写次数是十万次。nand flash存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的nand flash块尺寸要比or flash器件小8倍，每个nand flash存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

二、原理

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为0。

三、用法

一般NOR FLASH 用做内存片，或者叫做数据缓冲。而NAND FLASH则一般用来做存储数据用。比方说，U盘.MP3等。

扩展资料

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

参考资料来源：百度百科—Nand flash

参考资料来源：百度百科—NOR Flash

4m的flash有多少个块

具体一片flash上有多少个Block视需要所定。

NANDFlash的数据是以bit的方式保存在memorycell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bitline，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NANDDevice的位宽。这些Line会再组成Page，(NANDFlash有多种结构，我使用的NANDFlash是K9F1208，下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(MainArea)+16byte(SpareArea))，每32个page形成一个Block(32*528B)。

nandflash和norflash的区别

nandflash和norflash的区别如下：

1、开发的公司不同：

NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteInPlace）。

Nandflash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

2、存储单元关系的不同：

两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。

3、擦除操作的不同：

NANDFLASH执行擦除操作是十分简单的，而NORFLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NORFLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NANDFLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

参考资料来源：百度百科-Nandflash

参考资料来源：百度百科-NORFlash

FPGA的FLASH结构是什么？

常用的FPGA内部无Flash，如Altera、xilinx芯片。不过一些不常用的FPGA内有Flash，如Actel公司的FPGA